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半導体IC
| 画像 | 部分# | 記述 | メーカー | ストック | RFQ | |
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![品質 [#varpname#] 工場](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
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NTMD4840NR2G |
MOSFET NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
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単体
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FDP51N25 |
MOSFET 250V NチャネルMOSFET
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フェアチャイルド半導体
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NDS9407 |
MOSFET シングル P-Ch MOSFET パワー トレンチ
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フェアチャイルド半導体
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SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 合格
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シリコンニックス / ビシャイ
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2N7000TA |
MOSFET 60V Nチャネル SM Sig
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フェアチャイルド半導体
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NVMFS5C404NLWFT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
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単体
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FDMS8320L |
MOSFET 40V/20V NCh パワー トレンチ MOSFET
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フェアチャイルド半導体
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FDMS7602S |
MOSFET 30V ダブル Nチャネル パワー トレンチ
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フェアチャイルド半導体
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FCD380N60E |
MOSFET 600V NチャネルMOSFET
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フェアチャイルド半導体
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FDS6990AS |
MOSFET 30V DUAL N-CH. FET 18 MO SO8
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フェアチャイルド半導体
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SI5403DC-T1-GE3 |
MOSFET 30V 6.0A 6.3W 30mohm @ 10V
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ビシャイ半導体
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FDC6305N |
MOSFET SSOT-6 N-CH 20V
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フェアチャイルド半導体
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IPD15N06S2L-64 |
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 オプティモス
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インフィニオン・テクノロジーズ
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RJK0454DPB-00#J5 |
MOSFET JETシリーズ MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF
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レネサス・エレクトロニクス
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FDC6420C |
MOSFET 20V/-20V N/P
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フェアチャイルド半導体
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NCV8402ADDR2G |
MOSFET 42V2A
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単体
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FQP6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET アドバンスト Cシリーズ
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フェアチャイルド半導体
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SI4431CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V
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ビシャイ半導体
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SQ2361AEES-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 合格
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ビシャイ半導体
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IRL520PBF |
MOSFET N-Chan 100V 9.2Amp
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ビシャイ半導体
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IRFP064PBF |
MOSFET N-Chan 60V 70Amp
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ビシャイ半導体
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NVD2955T4G |
MOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO
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単体
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FDA59N30 |
MOSFET 500V NCH MOSFET
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フェアチャイルド半導体
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IRF840APBF |
MOSFET N-Chan 500V 8.0アンパール
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ビシャイ半導体
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IRF9530STRLPBF |
MOSFET P-Chan 100V 12アンパール
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ビシャイ半導体
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ECH8697R-TL-W |
MOSFET NCH 2.5V コモン・ドレイン
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単体
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IRFU320PBF |
MOSFET N-Chan 400V 3.1 アンペア
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ビシャイ半導体
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FDBL0330N80 |
MOSFET TO 無鉛 MV7 80V
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フェアチャイルド半導体
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FDD8874 |
MOSFET 30V Nチャネル電源トランチ
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フェアチャイルド半導体
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FDS4559 |
MOSFET 60V/60V N/P
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フェアチャイルド半導体
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SI1869DH-T1-E3 |
MOSFET 負荷スイッチ 1.8V RA W/レベルシフト
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ビシャイ半導体
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SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V パワーパック SO-8タイプ Rds ((オン) 24mohm
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シリコンニックス / ビシャイ
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NTTFS4937NTWG |
MOSFET 30V 75A 4.5mOhm シングルNチャンネルu8FL
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単体
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NCV8405ASTT1G |
MOSFET 自衛された下側 F
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単体
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FDC6312P |
MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL
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フェアチャイルド半導体
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NCV8402ASTT1G |
MOSFET 42V 2.0A
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単体
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SQ7415AEN-T1_GE3 |
MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 合格
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ビシャイ半導体
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IRF9630PBF |
MOSFET P-Chan 200V 6.5Amp
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ビシャイ半導体
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2N7002KT1G |
MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2.5オーム
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単体
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IPD50N08S4-13 |
MOSFET Nチャネル 75/80V
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インフィニオン・テクノロジーズ
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NTZD3154NT5G |
MOSFET 20V 540mA ダブルNチャネルw/ESD
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単体
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NDFP03N150CG |
MOSFET N-CH パワー MOSFET 1500V 2.5A
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単体
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NTD6416ANT4G |
MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO
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単体
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IRFPG50PBF |
MOSFET N-Chan 1000V 6.1Amp
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ビシャイ半導体
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FDP61N20 |
MOSFET 200V NチャネルMOSFET
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フェアチャイルド半導体
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FDC2612 |
MOSFET 200V NCh パワートランチ
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フェアチャイルド半導体
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SI1024X-T1-GE3 |
MOSFET デュアルN-Ch MOSFET 20V 700モハム @ 4.5V
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ビシャイ半導体
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NTR2101PT1G |
MOSFET-8V 3.7A Pチャンネル
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単体
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NVD5862NT4G |
MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM
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単体
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IPD90N10S4L-06 |
MOSFET モスフェット
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インフィニオン・テクノロジーズ
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