仕様
製品カテゴリー:
LDO電圧制御装置
規制当局の数:
1
@ qty:
0
保護 機能:
超電流,超温度,ソフトスタート,低電圧ロックアウト (UVLO)
マウントタイプ:
表面マウント
出力構成:
ポジティブ
製造者:
単体
最小量:
3000
PSRR:
-
圧力の減少 (最大):
0.2V @ 200mA
電流 - 静止 (Iq):
16µA
Factory Stock:
0
動作温度:
-40°C ~ 125°C (TJ)
電流 - 供給量 (最大):
-
供給者のデバイスパッケージ:
6-XDFN (1.5x1.5)
部品のステータス:
アクティブ
パッケージ:
テープ&リール (TR)
電圧 - 出力 (最大):
-
制御機能:
有効にする
出力型:
固定
電流 - 出力:
200mA
電圧 - 出力 (分/固定):
3.3V
パッケージ/ケース:
6-XFDFN
電圧 - 入力 (最大):
5.5V
シリーズ:
自動車,AEC-Q100
導入
関連製品

高速ダブルインバーティングMOSFET半導体ICゲートドライバーチップ 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET

MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp

LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C

NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP

NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO

CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM

FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC

FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC

FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
画像 | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
![]() |
高速ダブルインバーティングMOSFET半導体ICゲートドライバーチップ 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
![]() |
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
![]() |
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
![]() |
NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
![]() |
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
![]() |
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
![]() |
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
![]() |
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
![]() |
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
![]() |
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: