CAT24C02TDI-GT3A
![品質 [#varpname#] 工場](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
メーカー:
単体
記述:
IC EEPROM 2KBIT I2C TSOT23-5
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力
メモリサイズ:
2Kbit
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
I2C
サイクルの時間 - 単語,ページ:
5ms
供給者のデバイスパッケージ:
TSOT-23-5
メモリタイプ:
不揮発性
Mfr:
単体
時計の周波数:
400kHz
電圧 - 供給:
1.7V~5.5V
アクセス時間:
900 ns
パッケージ/ケース:
SOT-23-5 薄型,TSOT-23-5
記憶 の 組織:
256 × 8
動作温度:
-40°C ~ 85°C (TA)
テクノロジー:
EEPROM
基本製品番号:
CAT24C02
メモリ形式:
EEPROM
関連製品
高速ダブルインバーティングMOSFET半導体ICゲートドライバーチップ 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| 画像 | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
高速ダブルインバーティングMOSFET半導体ICゲートドライバーチップ 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
