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NTTFS5116PLTAG

メーカー:
単体
記述:
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
3V @ 250µA
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
パッケージ/ケース:
8-PowerWDFN
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
25 NC @ 10ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
52mOhm @ 6A, 10V
FETタイプ:
P-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
4.5V,10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
60V
Vgs (最大):
±20V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1258 pF @ 30 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
8-WDFN (3.3x3.3)
Mfr:
単体
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
5.7A (Ta)
電力損失(最高):
3.2W (Ta)、40W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
NTTFS5116
導入
Pチャンネル 60 V 5.7A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) 表面マウント 8-WDFN (3.3x3.3)
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: