NTH4L045N065SC1
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メーカー:
単体
記述:
シリコンカルビッドモスフェット,NCHANNEL
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
105 nC @ 18 V
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
穴を抜ける
パッケージ:
トューブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1870 pF @ 325 V
シリーズ:
-
Vgs (最大):
+22V, -8V
Vgs(th) (最大) @ Id:
4.3V @ 8mA
供給者のデバイスパッケージ:
TO-247-4L
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
50mOhm @ 25A, 18V
Mfr:
単体
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
15V、18V
電力損失（最高）:
187W (Tc)
パッケージ/ケース:
TO-247-4
流出電圧から源電圧 (Vdss):
650ボルト
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
55A （Tc）
テクノロジー:
SiCFET （炭化ケイ素）
FETの特徴:
-
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