NTBG080N120SC1
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メーカー:
単体
記述:
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
4.3V @ 5mA
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-263-8のDの²朴（7つの鉛+タブ）、TO-263CA
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
56 nC @ 20 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
110mOhm @ 20A, 20V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
20V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
1200V
Vgs (最大):
+25V, -15V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1154 pF @ 800 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
D2PAK-7
Mfr:
単体
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
30A （Tc）
電力損失（最高）:
179W (Tc)
テクノロジー:
SiCFET （炭化ケイ素）
基本製品番号:
NTBG080
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