NTBG025N065SC1
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メーカー:
単体
記述:
シリコンカービード (SIC) MOSFET - 1
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
4.3V @ 15.5mA
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-263-8のDの²朴（7つの鉛+タブ）、TO-263CA
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
164 nC @ 18 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
28.5mOhm @ 45A, 18V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
15V、18V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
650ボルト
Vgs (最大):
+22V, -8V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
3480 pF @ 325 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
D2PAK-7
Mfr:
単体
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
106A （Tc）
電力損失（最高）:
395W (Tc)
テクノロジー:
SiCFET （炭化ケイ素）
基本製品番号:
NTBG025
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