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FDMS86350ET80

メーカー:
単体
記述:
MOSFET N-CH 80V 25A/198A パワー56
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
4.5V @ 250µA
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
パッケージ/ケース:
8-PowerTDFN
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
155 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
2.4mOhm @ 25A、10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
8V、10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
80V
Vgs (最大):
±20V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
8030 pF @ 40 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
PowerTrench®
供給者のデバイスパッケージ:
8-PQFN (5x6)
Mfr:
単体
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
25A (Ta), 198A (Tc)
電力損失(最高):
3.3W (Ta),187W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
FDMS86350
導入
Nチャンネル 80V 25A (Ta), 198A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) 表面マウント 8-PQFN (5x6)
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: