FDC658AP
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メーカー:
単体
記述:
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
3V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
SOT-23-6 薄型,TSOT-23-6
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
8.1 nC @ 5V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
50mOhm @ 4A、10V
FETタイプ:
P-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
4.5V,10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
30V
Vgs (最大):
±25V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
470 pF @ 15 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
PowerTrench®
供給者のデバイスパッケージ:
SuperSOT™-6
Mfr:
単体
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
4A （Ta）
電力損失（最高）:
1.6W （Ta）
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
FDC658
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