FCD360N65S3R0
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メーカー:
単体
記述:
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
4.5V @ 1mA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
18 NC @ 10ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
360mOhm @ 5A, 10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
650ボルト
Vgs (最大):
±30V
製品の状況:
新しい デザイン の ため の もの で は ない
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
730 pF @ 400 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
SuperFET® III
供給者のデバイスパッケージ:
D朴（TO-252）
Mfr:
単体
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
10A （Tc）
電力損失（最高）:
83W （Tc）
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
FCD360
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