IRFBE30SPBF
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メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
4V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-263-3,D2Pak (2リード+タブ),TO-263AB
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
78 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
3Ohm @ 2.5A, 10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
パッケージ:
トューブ
流出電圧から源電圧 (Vdss):
800V
Vgs (最大):
±20V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1300 pF @ 25ボルト
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
D²PAK (TO-263)
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
4.1A （Tc）
電力損失（最高）:
125W （Tc）
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
IRFBE30
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