FDP032N08
![品質 [#varpname#] 工場](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
メーカー:
テキサス・インストラクション
記述:
120A,75V,0.0032OHM,Nチャンネル
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
4.5V @ 250µA
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-220-3
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
220 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
3.2mOhm @ 75A, 10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
パッケージ:
散装品
流出電圧から源電圧 (Vdss):
75V
Vgs (最大):
±20V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
15160 pF @ 25V
マウントタイプ:
穴を抜ける
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
TO-220-3
Mfr:
テキサス・インストラクション
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
120A （Tc）
電力損失（最高）:
375W (TC)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
FDP032
関連製品
| 画像 | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
BAV23CLT1G |
BAV23C - DUAL HIGH-VOLTAGE SWITC
|
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
