NVH4L022N120M3S
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メーカー:
単体
記述:
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
151 nC @ 18 V
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
穴を抜ける
パッケージ:
トューブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
3175 pF @ 800 V
シリーズ:
自動車,AEC-Q101
Vgs (最大):
+22V、-10V
Vgs(th) (最大) @ Id:
4.4V @ 20mA
供給者のデバイスパッケージ:
TO-247-4L
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 40A, 18V
Mfr:
単体
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
18V
電力損失（最高）:
352W (Tc)
パッケージ/ケース:
TO-247-4
流出電圧から源電圧 (Vdss):
1200V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
68A （Tc）
テクノロジー:
SiCFET （炭化ケイ素）
FETの特徴:
-
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