仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
2.5 NC @ 10ボルト
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
14 pF @ 50 V
シリーズ:
-
Vgs (最大):
±20V
Vgs(th) (最大) @ Id:
3V @ 250µA
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
5Ohm @ 200mA、10V
Mfr:
ヤンジョウ・ヤンジエ・エレクトロニック・テクノロジー株式会社
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
4.5V,10V
電力損失(最高):
350mW (Ta)
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
流出電圧から源電圧 (Vdss):
100V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
200mA (Ta)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
FETの特徴:
-
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: