仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
8 nC @ 4.5 V
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
600 pF @ 10 V
シリーズ:
UMW
Vgs (最大):
±8V
Vgs(th) (最大) @ Id:
1.5V @ 250µA
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
70mOhm @ 2A、4.5V
Mfr:
UMW
動作温度:
150°C (TJ)
FETタイプ:
P-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
1.8V、4.5V
電力損失(最高):
1.1W (Ta)
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
流出電圧から源電圧 (Vdss):
20V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
2A (Ta)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
FETの特徴:
-
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: