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FCP190N60E

メーカー:
単体
記述:
MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
3.5V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-220-3
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
82 NC @ 10ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
190mOhm @ 10A, 10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
パッケージ:
トューブ
流出電圧から源電圧 (Vdss):
600V
Vgs (最大):
±20V
製品の状況:
新しい デザイン の ため の もの で は ない
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
3175 pF @ 25V
マウントタイプ:
穴を抜ける
シリーズ:
SuperFET® II
供給者のデバイスパッケージ:
TO-220-3
Mfr:
単体
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
20.6A (Tc)
電力損失(最高):
208W (TC)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
FCP190
導入
Nチャネル 600 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) トー-220-3の穴を通る
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: