HN1B01FDW1T1G
![品質 [#varpname#] 工場](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
メーカー:
単体
記述:
トランス NPN/PNP 50V 0.2A SC74
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
双極トランジスタ配列
電流 - コレクター (Ic) (最大):
200mA
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
NPN,PNP
マウントタイプ:
表面マウント
頻度 - 移行:
-
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
SC-74
Mfr:
単体
電流 - コレクターの切断値 (最大):
2μA
パワー - マックス:
380mW
パッケージ/ケース:
SC-74、SOT-457
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
200 @ 2mA、6V
基本製品番号:
HN1B01
関連製品
高速ダブルインバーティングMOSFET半導体ICゲートドライバーチップ 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| 画像 | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
高速ダブルインバーティングMOSFET半導体ICゲートドライバーチップ 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
