MJD3055T4G
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メーカー:
単体
カテゴリー:
半導体IC
仕様
トランジスター極性:
NPN
製品カテゴリー:
両極トランジスター- BJT
マウントスタイル:
SMD/SMT
最大 DC コレクタ電流:
10 A
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
60V
パッケージ/ケース:
TO-252-3
最大動作温度:
+150C
利益帯域幅プロダクトfT:
2MHz
構成:
シングル
コレクターの基礎電圧VCBO:
70V
シリーズ:
MJD3055
エミッターの基礎電圧VEBO:
5V
Collector-Emitterの飽和電圧:
1.1 V
製造者:
単体
導入
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