2SC5566-TD-E
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メーカー:
単体
記述:
双極トランジスタ - BJT BIP NPN 4A 50V
カテゴリー:
半導体IC
仕様
トランジスター極性:
NPN
製品カテゴリー:
両極トランジスター- BJT
マウントスタイル:
SMD/SMT
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
- 50V,50V
パッケージ/ケース:
PCP-3
最大動作温度:
+150C
利益帯域幅プロダクトfT:
360 MHz,400 MHz
構成:
シングル
コレクターの基礎電圧VCBO:
- 50V,100V
シリーズ:
2SC5566
エミッターの基礎電圧VEBO:
- 6V 6V
Collector-Emitterの飽和電圧:
- 105V,85V
製造者:
単体
導入
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