SQJ409EP-T1_GE3
![品質 [#varpname#] 工場](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
メーカー:
ビシャイ半導体
記述:
MOSFET -40V Vds パワーパック AEC-Q101 合格
カテゴリー:
半導体IC
仕様
トランジスター極性:
P-Channel
製品カテゴリー:
MOSFET
資格:
AEC-Q101
ID -連続的な下水管の流れ:
60 A
Pd - エネルギー分散:
68 W
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
40V
パッケージ:
テープ&リール (TR)
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
2ボルト
パッケージ:
パワーパック-SO-8-4
Rdsのオン下水管源の抵抗:
7mOhms
ROHS:
緑色
工場用品数:
3000
Vgs -ゲート源の電圧:
- 20ボルト、+ 20ボルト
Qg -ゲート充満:
170nC
製造者:
ビシャイ半導体
導入
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