NVD2955T4G
![品質 [#varpname#] 工場](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
メーカー:
単体
記述:
MOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO
カテゴリー:
半導体IC
仕様
トランジスター極性:
P-Channel
テクノロジー:
Si
製品カテゴリー:
MOSFET
マウントスタイル:
SMD/SMT
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
TO-252-3
最大動作温度:
+ 175 C
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
- 60V
パッケージ:
リール
ID -連続的な下水管の流れ:
- 12A
Rdsのオン下水管源の抵抗:
155mOhms
Vgs -ゲート源の電圧:
20V
Qg -ゲート充満:
15 NC
製造者:
単体
導入
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