FDS6990AS
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メーカー:
フェアチャイルド半導体
記述:
MOSFET 30V DUAL N-CH. FET 18 MO SO8
カテゴリー:
半導体IC
仕様
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
Si
ID -連続的な下水管の流れ:
7.5 A
マウントスタイル:
SMD/SMT
商号:
パワートレントシンクFET
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
SO-8
最大動作温度:
+150C
チャネル モード:
強化
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
30V
パッケージ:
リール
製品カテゴリー:
MOSFET
チャンネル数:
2 チャネル
Vgs -ゲート源の電圧:
20V
Rdsのオン下水管源の抵抗:
17ミリオーム
製造者:
フェアチャイルド半導体
導入
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