FCH099N60E
メーカー:
フェアチャイルド半導体
記述:
MOSFET SuperFET2 600V スローバージョン
カテゴリー:
半導体IC
仕様
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
Si
ID -連続的な下水管の流れ:
37 A
マウントスタイル:
穴を抜ける
商号:
スーパーFETII
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
TO-247-3
最大動作温度:
+150C
チャネル モード:
強化
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
600V
パッケージ:
トューブ
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
3.5 V
製品カテゴリー:
MOSFET
Rdsのオン下水管源の抵抗:
87mOhms
Vgs -ゲート源の電圧:
30V
Qg -ゲート充満:
114年
製造者:
フェアチャイルド半導体
ハイライト:
FCH099N60E power MOSFET
,FCH099N60E semiconductor IC
,FCH099N60E electronic component
導入
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