FGA40T65SHD
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メーカー:
フェアチャイルド半導体
記述:
IGBT トランジスタ 650V FS Gen3 トレンチ IGBT
カテゴリー:
半導体IC
仕様
ゲート エミッターの漏出流れ:
400 nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
穴を抜ける
25 Cの連続的なコレクター流れ:
80A
Pd - エネルギー分散:
268W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
650ボルト
パッケージ/ケース:
TO-3PN
最大動作温度:
+ 175 C
パッケージ:
トューブ
最高のゲートのエミッターの電圧:
30V
Collector-Emitterの飽和電圧:
2.14V
製造者:
フェアチャイルド半導体
導入
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