NGTB25N120FL3WG
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メーカー:
単体
記述:
IGBT トランジスタ IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
カテゴリー:
半導体IC
仕様
ゲート エミッターの漏出流れ:
200 nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
穴を抜ける
25 Cの連続的なコレクター流れ:
100 A
Pd - エネルギー分散:
349 W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
1.2 kV
パッケージ/ケース:
TO247-3
最大動作温度:
+ 175 C
最高のゲートのエミッターの電圧:
+/- 20ボルト
パッケージ:
トューブ
構成:
シングル
Collector-Emitterの飽和電圧:
1.7V
製造者:
単体
導入
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