STD30NF06LT4
メーカー:
STMマイクロ電子機器
記述:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
2.5V @ 250µA
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
31 nC @ 5 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
28mOhm @ 18A, 10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
5V、10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
60V
Vgs (最大):
±20V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1600 pF @ 25 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
STripFET™
供給者のデバイスパッケージ:
DPAK
Mfr:
STMマイクロ電子機器
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
35A （Tc）
電力損失（最高）:
70W (TC)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
STD30
ハイライト:
STD30NF06LT4 MOSFET半導体
,STD30NF06LT4 パワーIC
,STD30NF06LT4 Nチャネルトランジスタ
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