logo
ホーム > 製品 > 半導体IC > STL100N10F7

STL100N10F7

メーカー:
STMマイクロ電子機器
記述:
MOSFET N-CH 100V 80A パワーフラット
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
4V @ 250µA
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
パッケージ/ケース:
8-PowerVDFN
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
80 NC @ 10ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
7.3mOhm @ 19A, 10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
100V
Vgs (最大):
±20V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
5680 pF @ 50 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
DeepGATE™、STripFET™ VII
供給者のデバイスパッケージ:
PowerFlat™ (5x6)
Mfr:
STMマイクロ電子機器
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
80A (Tc)
電力損失(最高):
5W (Ta),100W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
STL100
ハイライト:

STL100N10F7 power MOSFET

,

STL100N10F7 semiconductor IC

,

STL100N10F7 electronic component

導入
Nチャンネル 100V 80A (Tc) 5W (Ta), 100W (Tc) 表面マウント パワーフラットTM (5x6)
関連製品
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: