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STW26NM60N

メーカー:
STMマイクロ電子機器
記述:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
4V @ 250µA
動作温度:
150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-247-3
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
10Vで60nC
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
165mOhm @ 10A、10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
パッケージ:
トューブ
流出電圧から源電圧 (Vdss):
600V
Vgs (最大):
±30V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1800 pF @ 50 V
マウントタイプ:
穴を抜ける
シリーズ:
MDmesh™ II
供給者のデバイスパッケージ:
TO-247-3
Mfr:
STMマイクロ電子機器
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
20A (Tc)
電力損失(最高):
140W(TC)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
STW26
ハイライト:

STW26NM60N パワーMOSFET

,

STW26NM60N 半導体IC

,

STW26NM60N 保証付き

導入
Nチャネル 600 V 20A (Tc) 140W (Tc) トー-247-3の穴を通る
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ストック:
MOQ: