SCTW70N120G2V
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メーカー:
STMマイクロ電子機器
記述:
トランス SJT N-CH 1200V 91A HIP247
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
4.9V @ 1mA
動作温度:
-55°C | 200°C （TJ）
パッケージ/ケース:
TO-247-3
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
150 nC @ 18 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 50A、18V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
18V
パッケージ:
トューブ
流出電圧から源電圧 (Vdss):
1200V
Vgs (最大):
+22V、-10V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
3540 pF @ 800 V
マウントタイプ:
穴を抜ける
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
HiP247TM
Mfr:
STMマイクロ電子機器
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
91A （Tc）
電力損失（最高）:
547W (Tc)
テクノロジー:
SiCFET （炭化ケイ素）
基本製品番号:
SCTW70
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