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STD6N95K5

メーカー:
STMマイクロ電子機器
記述:
MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
5V @ 100µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
13 NC @ 10ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
1.25Ohm @ 3A, 10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
950ボルト
Vgs (最大):
±30V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
450 pF @ 100 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
SuperMESH5™
供給者のデバイスパッケージ:
DPAK
Mfr:
STMマイクロ電子機器
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
9A (Tc)
電力損失(最高):
90W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
STD6N95
ハイライト:

STD6N95K5 MOSFET semiconductor

,

STD6N95K5 power IC

,

STD6N95K5 high voltage transistor

導入
Nチャンネル 950 V 9A (Tc) 90W (Tc) 表面マウント DPAK
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MOQ: