STB30N80K5
メーカー:
STMマイクロ電子機器
記述:
MOSFET Nチャネル 800V 24A D2PAK
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
5V @ 100µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-263-3,D2Pak (2リード+タブ),TO-263AB
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
43 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
180mOhm @ 12A、10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
800V
Vgs (最大):
±30V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1530 pF @ 100 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
MDmeshTM K5
供給者のデバイスパッケージ:
D²PAK (TO-263)
Mfr:
STMマイクロ電子機器
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
24A （Tc）
電力損失（最高）:
250W （Tc）
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
STB30
ハイライト:
STB30N80K5 パワーMOSFET
,STB30N80K5 半導体IC
,STB30N80K5 高電圧トランジスタ
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