仕様
製品カテゴリー:
MOSFET
Vgs (最大):
±20V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
110A (Tc)
@ qty:
0
FETタイプ:
Nチャンネル
マウントタイプ:
穴を抜ける
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
100nC @ 10V
製造者:
STMマイクロ電子機器
最小量:
1
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
工場用品:
0
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
FETの特徴:
-
シリーズ:
STripFETTM F6
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
5850pF @ 25V
供給者のデバイスパッケージ:
TO-220
部品のステータス:
アクティブ
パッケージ:
-
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
6.5 mOhm @ 55A, 10V
電力損失(最高):
176W (Tc)
パッケージ/ケース:
TO-220-3
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
Vgs(th) (最大) @ Id:
4V @ 250µA
流出電圧から源電圧 (Vdss):
68V
導入
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