STS4DNF60L
メーカー:
STMマイクロ電子機器
記述:
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
カテゴリー:
半導体IC
仕様
供給者のデバイスパッケージ:
8-SO
製品カテゴリー:
MOSFET
Factory Stock:
0
最小量:
2500
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1030pF @ 25V
パッケージ/ケース:
8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
部品のステータス:
アクティブ
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
4a
パッケージ:
テープ&リール (TR)
@ qty:
0
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ:
2 N-Channel （二重）
FETの特徴:
論理のレベルのゲート
流出電圧から源電圧 (Vdss):
60V
マウントタイプ:
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
15nC @ 4.5V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
55 mOhm @ 2A, 10V
パワー - マックス:
2W
Vgs(th) (最大) @ Id:
2.5V @ 250µA
シリーズ:
STripFET™
製造者:
STMマイクロ電子機器
ハイライト:
STS4DNF60L semiconductor IC
,STS4DNF60L power transistor
,STS4DNF60L electronic component
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