仕様
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
Si
製品カテゴリー:
MOSFET
マウントスタイル:
穴を抜ける
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
TO-220-3
最大動作温度:
+ 175 C
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
100V
パッケージ:
トューブ
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
4.5V
ID -連続的な下水管の流れ:
110 A
Rdsのオン下水管源の抵抗:
4.2mOhms
チャンネル数:
1 チャンネル
Vgs -ゲート源の電圧:
20V
Qg -ゲート充満:
117年
製造者:
STMマイクロ電子機器
導入
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