STGB30H60DFB
メーカー:
STMマイクロ電子機器
カテゴリー:
半導体IC
仕様
ゲート エミッターの漏出流れ:
+ / - 250 nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
SMD/SMT
25 Cの連続的なコレクター流れ:
60 A
Pd - エネルギー分散:
260 W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
600V
パッケージ/ケース:
D2PAK-3
最大動作温度:
+ 175 C
最高のゲートのエミッターの電圧:
+/- 20ボルト
パッケージ:
リール
構成:
シングル
Collector-Emitterの飽和電圧:
1.55 V
製造者:
STMマイクロ電子機器
ハイライト:
STGB30H60DFB IGBT semiconductor
,STGB30H60DFB power IC
,STGB30H60DFB high voltage IC
導入
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