STGD18N40LZT4
メーカー:
STMマイクロ電子機器
記述:
IGBT トランジスタ EAS 180 mJ-400 V クランプ付き IGBT
カテゴリー:
半導体IC
仕様
パッケージ:
テープ&リール (TR)
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
資格:
AEC-Q101
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
360V
最高のゲートのエミッターの電圧:
12V
パッケージ:
TO-252
構成:
シングル
ROHS:
緑色
工場用品数:
2500
連続電流 Ic マックス:
25A
製造者:
STMマイクロ電子機器
ハイライト:
STGD18N40LZT4 パワーMOSFET
,STGD18N40LZT4 半導体IC
,STGD18N40LZT4 高電圧トランジスタ
導入
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