STGW39NC60VD
メーカー:
STMマイクロ電子機器
記述:
IGBTトランジスタ NチャネルMFT
カテゴリー:
半導体IC
仕様
ゲート エミッターの漏出流れ:
+/- 100 nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
穴を抜ける
Pd - エネルギー分散:
250W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
600V
パッケージ/ケース:
TO-247-3
最大動作温度:
+150C
最高のゲートのエミッターの電圧:
+/- 20ボルト
パッケージ:
トューブ
構成:
シングル
Collector-Emitterの飽和電圧:
1.8V/1.7V
製造者:
STMマイクロ電子機器
ハイライト:
STGW39NC60VD パワー半導体IC
,STGW39NC60VD 高電圧IC
,STGW39NC60VD 産業用IC
導入
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