STGWA60H65DFB
メーカー:
STMマイクロ電子機器
記述:
IGBTトランジスタ IGBT&パワーバイポーラー
カテゴリー:
半導体IC
仕様
ゲート エミッターの漏出流れ:
250nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
穴を抜ける
25 Cの連続的なコレクター流れ:
80A
Pd - エネルギー分散:
375 W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
650ボルト
パッケージ/ケース:
TO-247-3
最大動作温度:
+ 175 C
最高のゲートのエミッターの電圧:
+/- 20ボルト
構成:
シングル
Collector-Emitterの飽和電圧:
2ボルト
製造者:
STMマイクロ電子機器
ハイライト:
STGWA60H65DFB 半導体IC
,STGWA60H65DFB パワーモジュール
,STGWA60H65DFB IGBTトランジスタ
導入
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