STGW80V60DF
メーカー:
STMマイクロ電子機器
記述:
IGBTトランジスタ トレンチゲート Vシリーズ 600V 80A HiSpd
カテゴリー:
半導体IC
仕様
ゲート エミッターの漏出流れ:
250nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
穴を抜ける
25 Cの連続的なコレクター流れ:
120 A
Pd - エネルギー分散:
469 W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
600V
パッケージ/ケース:
TO-247-3
最大動作温度:
+ 175 C
最高のゲートのエミッターの電圧:
20V
パッケージ:
トューブ
構成:
シングル
Collector-Emitterの飽和電圧:
1.85 V
製造者:
STMマイクロ電子機器
ハイライト:
STGW80V60DF パワー半導体IC
,STGW80V60DF 高電圧IC
,STGW80V60DF 保証付き半導体
導入
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