STGWA25H120DF2
メーカー:
STMマイクロ電子機器
記述:
IGBTトランジスタ IGBT&パワーバイポーラー
カテゴリー:
半導体IC
仕様
ゲート エミッターの漏出流れ:
250nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
穴を抜ける
25 Cの連続的なコレクター流れ:
50A
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
1200V
Pd - エネルギー分散:
375 W
最大動作温度:
+ 175 C
最高のゲートのエミッターの電圧:
20V
構成:
シングル
Collector-Emitterの飽和電圧:
2.5V
製造者:
STMマイクロ電子機器
ハイライト:
STGWA25H120DF2 IGBT semiconductor
,STGWA25H120DF2 power module
,STGWA25H120DF2 IC with warranty
導入
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