DG4157EDL-T1-GE3
![品質 [#varpname#] 工場](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
IC スイッチ SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
集積回路 (IC)
インターフェース
アナログスイッチ,マルチプレクサー,デマルチプレクサー
チャネル間の一致（ΔRon）:
120mOhm （最高）
-3db帯域幅:
152MHz
動作温度:
-40°C ~ 85°C
パッケージ/ケース:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363 について
スイッチ時間（（最高）トン、しゃれ者）:
32n,28n
現在-漏出（ある（））（最高）:
3nA
電圧-二重供給（V±）:
-
マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路:
2:1
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
チャネル キャパシタンス（CS （） CD （））:
-
電圧-単一供給（V+）:
1.65V~5.5V
スイッチ回路:
SPDT
回路数:
1
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
-
横断音声:
-41dB @ 10MHz
オン州の抵抗（最高）:
1.2ohm
供給者のデバイスパッケージ:
SC-70-6
充電注入:
-5pC
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
基本製品番号:
DG4157
関連製品
SQJ409EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
IRFP448PBF について
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
IRFBE30SPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
IRF644STRRPBF
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
SQJ486EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
SIHB24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
SQJA36EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
| 画像 | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
SQJ409EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
IRFP448PBF について |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
|
|
|
|
IRFBE30SPBF |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
|
|
|
|
IRF644STRRPBF |
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
|
|
|
|
SQJ486EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
|
|
|
|
SIHB24N80AE-GE3 |
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
|
|
|
|
SQM120P06-07L_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
|
|
|
|
SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
|
|
|
|
SQJA36EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
|
|
|
|
SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
|
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
