SQJ182EP-T1_GE3
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メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
自動車Nチャンネル 80V (D-S)
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
96 nC @ 10 V
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
5392 pF @ 25V
シリーズ:
自動車用,AEC-Q101,TrenchFET® Gen IV
Vgs (最大):
±20V
Vgs(th) (最大) @ Id:
3.5V @ 250µA
供給者のデバイスパッケージ:
PowerPAK® SO-8
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
5mOhm @ 15A, 10V
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
電力損失（最高）:
395W (Tc)
パッケージ/ケース:
PowerPAK® SO-8
流出電圧から源電圧 (Vdss):
80V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
210A (Tc)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
FETの特徴:
-
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