SI2356DS-T1-GE3
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メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
1.5V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
13 NC @ 10ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
51mOhm @ 3.2A, 10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
2.5V、10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
40V
Vgs (最大):
±12V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
370 pF @ 20V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
TrenchFET®
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
4.3A (Tc)
電力損失（最高）:
960mW (Ta),1.7W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
SI2356
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