SIR167DP-T1-GE3
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メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
2.5V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
PowerPAK® SO-8
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
111 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
5.5mOhm @ 15A, 10V
FETタイプ:
P-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
4.5V,10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
30V
Vgs (最大):
±25V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
4380 pF @ 15 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
トレンチFET® Gen III
供給者のデバイスパッケージ:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
60A （Tc）
電力損失（最高）:
65.8W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
SIR167
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