仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
-
動作温度:
150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
SC-100、SOT-669
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
15 NC @ 4.5ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 12.5A、10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
4.5V,10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
60V
Vgs (最大):
±20V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
2030 pF @ 10 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
LFPAK
Mfr:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
25A (Ta)
電力損失(最高):
45W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
RJK0651
関連製品
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HSM221CTL
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
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DIODE ZENER 0.4W
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RJK0653DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
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RJK0346DPA-00#J0
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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POWER MOSFET
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CR02AM-8#BD0
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
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23S08T-1DCG8
IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
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8432DYI-101LF
IC FREQ SYNTH 32TQFP
画像 | 部分# | 記述 | |
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![]() |
HSM221CTL |
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
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![]() |
HZS30NB2TD-E |
DIODE ZENER 0.4W
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![]() |
RJK0653DPB-00#J5 |
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
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![]() |
RJK0346DPA-00#J0 |
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
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![]() |
RJK0351DPA-02#J0 |
N-CHANNEL POWER MOSFET
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RJK03B9DPA-00#J53 |
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CR02AM-8#BD0 |
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
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23S08T-1DCG8 |
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8432DYI-101LF |
IC FREQ SYNTH 32TQFP
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