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RJK0651DPB-00#J5

メーカー:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
記述:
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
-
動作温度:
150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
SC-100、SOT-669
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
15 NC @ 4.5ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 12.5A、10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
4.5V,10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
60V
Vgs (最大):
±20V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
2030 pF @ 10 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
LFPAK
Mfr:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
25A (Ta)
電力損失(最高):
45W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
RJK0651
導入
Nチャネル 60V 25A (Ta) 45W (Tc) 表面マウント LFPAK
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: