RJK03B9DPA-00#J53
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メーカー:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
記述:
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETタイプ:
Nチャンネル
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
散装品
Vgs(th) (最大) @ Id:
-
シリーズ:
-
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
7.4 NC @ 4.5ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
8-WPAK
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
10.6mOhm @ 15A, 10V
Mfr:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
動作温度:
150°C (TJ)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1110 pF @ 10 V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
30V
電力損失（最高）:
25W （Tc）
パッケージ/ケース:
8-PowerWDFN
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
30A (Ta)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
FETの特徴:
-
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