SIHG018N60E-GE3
![品質 [#varpname#] 工場](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 600V 99Aから247AC
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
5V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-247-3
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
228 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
23mOhm @ 25A, 10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
パッケージ:
トューブ
流出電圧から源電圧 (Vdss):
600V
Vgs (最大):
±30V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
7612 pF @ 100V
マウントタイプ:
穴を抜ける
シリーズ:
E
供給者のデバイスパッケージ:
TO-247AC
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
99A (Tc)
電力損失（最高）:
524W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
SIHG018
関連製品
SQJ409EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
IRFP448PBF について
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
IRFBE30SPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
IRF644STRRPBF
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
SQJ486EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
SIHB24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
SQJA36EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
| 画像 | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
SQJ409EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
IRFP448PBF について |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
|
|
|
|
IRFBE30SPBF |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
|
|
|
|
IRF644STRRPBF |
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
|
|
|
|
SQJ486EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
|
|
|
|
SIHB24N80AE-GE3 |
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
|
|
|
|
SQM120P06-07L_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
|
|
|
|
SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
|
|
|
|
SQJA36EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
|
|
|
|
SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
|
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
