IRFB9N60APBF
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メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
4V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-220-3
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
49 NC @ 10ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
750mOhm @ 5.5A, 10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
パッケージ:
トューブ
流出電圧から源電圧 (Vdss):
600V
Vgs (最大):
±30V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1400 pF @ 25V
マウントタイプ:
穴を抜ける
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
TO-220AB
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
9.2A (Tc)
電力損失（最高）:
170W （Tc）
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
IRFB9N60
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