SUD19N20-90-E3
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メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
4V @ 250µA
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
51 NC @ 10ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
90mOhm @ 5A, 10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
6V、10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
200V
Vgs (最大):
±20V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1800 pF @ 25 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
TrenchFET®
供給者のデバイスパッケージ:
TO-252AA
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
19A （Tc）
電力損失（最高）:
3W （Ta）、136W （Tc）
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
SUD19
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