試験試験試験試験用
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メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETタイプ:
Nチャンネル
FETの特徴:
-
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
Vgs(th) (最大) @ Id:
2.5V @ 250µA
シリーズ:
TrenchFET®
Vgs (最大):
±20V
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
29 nC @ 10 V
供給者のデバイスパッケージ:
8-SOIC
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1330 pF @ 50 V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
100V
電力損失（最高）:
2.5W (Ta),5W (Tc)
パッケージ/ケース:
8-SOIC (0.154",3.90mm 幅)
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
5.9A (Ta),8.3A (Tc)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
SI4056
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